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BF1105R,215

BF1105R,215

Nur als Referenz

Teilenummer BF1105R,215
PNEDA Teilenummer BF1105R-215
Beschreibung MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 52.608
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BF1105R Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF1105R,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
BF1105R, BF1105R Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 351,5 KB)
PDFBF1105R Datenblatt Cover
BF1105R Datenblatt Seite 2 BF1105R Datenblatt Seite 3 BF1105R Datenblatt Seite 4 BF1105R Datenblatt Seite 5 BF1105R Datenblatt Seite 6 BF1105R Datenblatt Seite 7 BF1105R Datenblatt Seite 8 BF1105R Datenblatt Seite 9 BF1105R Datenblatt Seite 10 BF1105R Datenblatt Seite 11

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BF1105R Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz800MHz
Gewinn20dB
Spannungstest5V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl1.7dB
Stromtest-
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung7V
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

765MHz

Gewinn

18.7dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

CGHV59350F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

5.2GHz ~ 5.9GHz

Gewinn

11.2dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

24A

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

450W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440217

Lieferantengerätepaket

440217

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

17.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.74A

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539B

Lieferantengerätepaket

SOT539B

ATF-541M4-BLK

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

120mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

21.4dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

MiniPak 1412

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

15.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

72W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230-4LS2L

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4LS2L

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