BF1105R,215
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| Teilenummer | BF1105R,215 |
| PNEDA Teilenummer | BF1105R-215 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 52.608 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BF1105R Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BF1105R,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
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BF1105R Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | N-Channel Dual Gate |
| Frequenz | 800MHz |
| Gewinn | 20dB |
| Spannungstest | 5V |
| Nennstrom (Ampere) | 30mA |
| Rauschzahl | 1.7dB |
| Stromtest | - |
| Leistung - Leistung | - |
| Spannung - Nennspannung | 7V |
| Paket / Fall | SOT-143R |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143R |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS (Dual), Common Source Frequenz 2.3GHz ~ 2.4GHz Gewinn 17.2dB Spannungstest 28V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 1.74A Leistung - Leistung 60W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall SOT539B Lieferantengerätepaket SOT539B |
Hersteller Infineon Technologies Serie * Transistortyp - Frequenz - Gewinn - Spannungstest - Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest - Leistung - Leistung - Spannung - Nennspannung - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 765MHz Gewinn 18.7dB Spannungstest 30V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 900mA Leistung - Leistung 150W Spannung - Nennspannung 65V Paket / Fall 2-Flatpack, Fin Leads Lieferantengerätepaket H-36248-2 |
