BDX33D-BP
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| Teilenummer | BDX33D-BP |
| PNEDA Teilenummer | BDX33D-BP |
| Beschreibung | TRANS NPN TO-220 |
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.096 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BDX33D-BP Ressourcen
| Marke | Micro Commercial Co |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BDX33D-BP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BDX33D-BP Technische Daten
| Hersteller | Micro Commercial Co |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 10A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 3A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V Leistung - max 225mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 160MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
