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BDW63A-S

BDW63A-S

Nur als Referenz

Teilenummer BDW63A-S
PNEDA Teilenummer BDW63A-S
Beschreibung TRANS NPN DARL 60V 6A
Hersteller Bourns
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Auf Lager 4.518
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BDW63A-S Ressourcen

Marke Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBDW63A-S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BDW63A-S, BDW63A-S Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 89,26 KB)
PDFBDW63C-S Datenblatt Cover
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BDW63A-S Technische Daten

HerstellerBourns Inc.
Serie-
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic4V @ 60mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce750 @ 2A, 3V
Leistung - max2W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BC858BL3E6327

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

MMJT9410T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 800mA, 1V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

72MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

JAN2N6283

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/504

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 200mA, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1250 @ 10A, 3V

Leistung - max

175W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3 (TO-204AA)

PN2222A-AP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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