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BDV64-S

BDV64-S

Nur als Referenz

Teilenummer BDV64-S
PNEDA Teilenummer BDV64-S
Beschreibung TRANS PNP DARL 60V 12A
Hersteller Bourns
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Auf Lager 8.226
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BDV64-S Ressourcen

Marke Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBDV64-S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BDV64-S, BDV64-S Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 104,89 KB)
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BDV64-S Technische Daten

HerstellerBourns Inc.
Serie-
TransistortypPNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic2V @ 20mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 4V
Leistung - max3.5W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-218-3
LieferantengerätepaketSOT-93

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 4V

Leistung - max

65W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Leistung - max

125W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

TO-218

2SC4901YK-TL-E

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

KSA1298PYWD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BF259

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 6mA, 30mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

90MHz

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

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