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BD246-S

BD246-S

Nur als Referenz

Teilenummer BD246-S
PNEDA Teilenummer BD246-S
Beschreibung TRANS PNP 45V 10A
Hersteller Bourns
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Auf Lager 6.984
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BD246-S Ressourcen

Marke Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBD246-S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BD246-S, BD246-S Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 102 KB)
PDFBD246B-S Datenblatt Cover
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BD246-S Technische Daten

HerstellerBourns Inc.
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic4V @ 2.5A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)700µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce4 @ 10A, 4V
Leistung - max3W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-218-3
LieferantengerätepaketSOT-93

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 20mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

500 @ 500mA, 4V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 400mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

12 @ 2A, 5V

Leistung - max

70W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

BDW54C-S

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 40mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

PN3638A_D26Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

35nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 300mA, 2V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PMBT2907AMYL

Nexperia

Hersteller

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Serie

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Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

210MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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