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BD243B-S

BD243B-S

Nur als Referenz

Teilenummer BD243B-S
PNEDA Teilenummer BD243B-S
Beschreibung TRANS NPN 80V 6A
Hersteller Bourns
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Auf Lager 7.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BD243B-S Ressourcen

Marke Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBD243B-S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BD243B-S, BD243B-S Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 1.093,25 KB)
PDFBD243B-S Datenblatt Cover
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BD243B-S Technische Daten

HerstellerBourns Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 1A, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)700µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 3A, 4V
Leistung - max2W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

2SC2859-Y(TE85L,F)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 1V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

M8550-D-AP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 80mA, 800mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

2N4261

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-72-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

SBC807-16LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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