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BCY59X

BCY59X

Nur als Referenz

Teilenummer BCY59X
PNEDA Teilenummer BCY59X
Beschreibung TRANS NPN 45V 0.2A TO-18
Hersteller STMicroelectronics
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BCY59X Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCY59X
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BCY59X, BCY59X Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 993,6 KB)
PDFBCY59X Datenblatt Cover
BCY59X Datenblatt Seite 2 BCY59X Datenblatt Seite 3 BCY59X Datenblatt Seite 4 BCY59X Datenblatt Seite 5 BCY59X Datenblatt Seite 6

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BCY59X Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic700mV @ 2.5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce180 @ 2mA, 5V
Leistung - max390mW
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-18

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

2SD2257,KEHINQ(J

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 2A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS

JANTX2N5661

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 400mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

Lieferantengerätepaket

TO-66

BC547BZL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N6353

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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