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BCX70GE6327HTSA1

BCX70GE6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BCX70GE6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BCX70GE6327HTSA1
Beschreibung TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
Hersteller Infineon Technologies
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BCX70GE6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCX70GE6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BCX70GE6327HTSA1, BCX70GE6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 103,31 KB)
PDFBCW60FFE6327HTSA1 Datenblatt Cover
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BCX70GE6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic550mV @ 1.25mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 2mA, 5V
Leistung - max330mW
Frequenz - Übergang250MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 3.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 800mA, 3V

Leistung - max

70W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

2N6286G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 200mA, 20A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 10A, 3V

Leistung - max

160W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-204 (TO-3)

DXT2010P5-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

260mV @ 300mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

Leistung - max

3.2W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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