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BCX6910E6327HTSA1

BCX6910E6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BCX6910E6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BCX6910E6327HTSA1
Beschreibung TRANS PNP 20V 1A SOT-89
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BCX6910E6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCX6910E6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BCX6910E6327HTSA1, BCX6910E6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 527,76 KB)
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BCX6910E6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce85 @ 500mA, 1V
Leistung - max3W
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketPG-SOT89

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.3V @ 2.4A, 60A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 60A, 5V

Leistung - max

250W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

2SC4468

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Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 3A, 4V

Leistung - max

100W

Frequenz - Übergang

20MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

NSVBC857BLT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

225mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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