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BCX52H6327XTSA1

BCX52H6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BCX52H6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BCX52H6327XTSA1
Beschreibung TRANSISTOR AF SOT89-4
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BCX52H6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCX52H6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BCX52H6327XTSA1, BCX52H6327XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 520,94 KB)
PDFBCX5316E6327HTSA1 Datenblatt Cover
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BCX52H6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
Leistung - max2W
Frequenz - Übergang125MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketPG-SOT89

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5A, 4V

Leistung - max

150W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

500V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 50mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

FJC1963RTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

30µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 5V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

8MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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