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BCW66KGE6327HTSA1

BCW66KGE6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BCW66KGE6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BCW66KGE6327HTSA1
Beschreibung TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.644
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BCW66KGE6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCW66KGE6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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BCW66KGE6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic450mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang170MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 1.5mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1.5A, 2V

Leistung - max

1.3W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-126-3

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

320mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Leistung - max

730mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 500mA, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 25A, 5V

Leistung - max

300W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AE

Lieferantengerätepaket

TO-3

BC548BRL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

STL128DFP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 700mA, 3.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2A, 5V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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