BCW30,215
Nur als Referenz
| Teilenummer | BCW30,215 |
| PNEDA Teilenummer | BCW30-215 |
| Beschreibung | TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 29.184 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BCW30 Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCW30,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BCW30 Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 32V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 215 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 250mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/397 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 30mA, 10V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 (TO-205AD) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/368 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 6V Leistung - max 100mW Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-623F Lieferantengerätepaket SOT-623F |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 100mA, 5V Leistung - max 15W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 5V @ 2A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 2.5A, 10V Leistung - max 80W Frequenz - Übergang 5MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
