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BCV47,235

BCV47,235

Nur als Referenz

Teilenummer BCV47,235
PNEDA Teilenummer BCV47-235
Beschreibung TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT23
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 663.108
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BCV47 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCV47,235
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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BCV47 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10000 @ 100mA, 5V
Leistung - max250mW
Frequenz - Übergang220MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 35mA, 700mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

430MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

MPT3

JAN2N6308

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/498

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 2.67A, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

12 @ 3A, 5V

Leistung - max

125W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-204AA (TO-3)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 1mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75

JANTXV2N3637

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/357

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

175V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

MPSW05

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 10mA, 250mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 250mA, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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