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BCV29TA

BCV29TA

Nur als Referenz

Teilenummer BCV29TA
PNEDA Teilenummer BCV29TA
Beschreibung TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT-89
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 7.470
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BCV29TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCV29TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BCV29TA, BCV29TA Datenblatt (Total Pages: 1, Größe: 16,49 KB)
PDFBCV29TA Datenblatt Cover

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BCV29TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang150MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 2mA, 10V

Leistung - max

125mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F1

MJ21195G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 3.2A, 16A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 8A, 5V

Leistung - max

250W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-204 (TO-3)

MJD50T4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

1.56W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

TN5415A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

200V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-226-3

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

125MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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