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BCV29,115

BCV29,115

Nur als Referenz

Teilenummer BCV29,115
PNEDA Teilenummer BCV29-115
Beschreibung TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT89
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 82.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 29 - Feb 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BCV29 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCV29,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BCV29, BCV29 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 318 KB)
PDFBCV29 Datenblatt Cover
BCV29 Datenblatt Seite 2 BCV29 Datenblatt Seite 3 BCV29 Datenblatt Seite 4 BCV29 Datenblatt Seite 5 BCV29 Datenblatt Seite 6 BCV29 Datenblatt Seite 7 BCV29 Datenblatt Seite 8 BCV29 Datenblatt Seite 9

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BCV29 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
Leistung - max1.3W
Frequenz - Übergang220MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

3-SSIP

Lieferantengerätepaket

NS-B1

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 40mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

9 @ 200mA, 10V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

5MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

MMJT9435T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 800mA, 1V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

110MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 80mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

Leistung - max

64W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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TO-213AA, TO-66-2

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