BCV29,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BCV29,115 |
| PNEDA Teilenummer | BCV29-115 |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT89 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 82.506 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BCV29 Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCV29,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BCV29 Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
| Leistung - max | 1.3W |
| Frequenz - Übergang | 220MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-89 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/510 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 10A, 3V Leistung - max 6W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket TO-254AA |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 100mA, 2V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-96 Lieferantengerätepaket TSMT3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 750mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 6.5 @ 3A, 5V Leistung - max 52W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket ISOWATT-218FX |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-46-3 |
