BCV28H6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BCV28H6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BCV28H6327XTSA1 |
| Beschreibung | TRANSISTOR AF SOT89-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BCV28H6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCV28H6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
BCV28H6327XTSA1, BCV28H6327XTSA1 Datenblatt
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BCV28H6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | PNP - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-89-3 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V Leistung - max - Frequenz - Übergang 25MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
