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BCV28H6327XTSA1

BCV28H6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BCV28H6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BCV28H6327XTSA1
Beschreibung TRANSISTOR AF SOT89-4
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BCV28H6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCV28H6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BCV28H6327XTSA1, BCV28H6327XTSA1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 510,26 KB)
PDFBCV48E6327HTSA1 Datenblatt Cover
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BCV28H6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypPNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3

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Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

430mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 500mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

6 @ 2A, 1V

Leistung - max

75W

Frequenz - Übergang

11MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 25mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 8mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 1A, 4V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

25MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

700µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

2MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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