BCP5516H6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BCP5516H6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BCP5516H6327XTSA1 |
| Beschreibung | TRANS NPN 60V 1A SOT223 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.572 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 3 - Apr 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BCP5516H6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCP5516H6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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BCP5516H6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 32V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 1.25mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 380 @ 2mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 125MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
