BCM857QASZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | BCM857QASZ |
| PNEDA Teilenummer | BCM857QASZ |
| Beschreibung | BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.536 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BCM857QASZ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCM857QASZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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BCM857QASZ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 350mW |
| Frequenz - Übergang | 175MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN1010B-6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
