BCM857BS,135
Nur als Referenz
| Teilenummer | BCM857BS,135 |
| PNEDA Teilenummer | BCM857BS-135 |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 260.808 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BCM857BS Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BCM857BS,135 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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BCM857BS Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 175MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSSOP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/558 Transistortyp 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 100mA, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket TO-116 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-CDIP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V Leistung - max 380mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket SC-74 |
