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BCM847QASZ

BCM847QASZ

Nur als Referenz

Teilenummer BCM847QASZ
PNEDA Teilenummer BCM847QASZ
Beschreibung BCM847QAS/SOT1216/DFN1010B-6
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 5.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BCM847QASZ Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCM847QASZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
BCM847QASZ, BCM847QASZ Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 223,8 KB)
PDFBCM847QASZ Datenblatt Cover
BCM847QASZ Datenblatt Seite 2 BCM847QASZ Datenblatt Seite 3 BCM847QASZ Datenblatt Seite 4 BCM847QASZ Datenblatt Seite 5 BCM847QASZ Datenblatt Seite 6 BCM847QASZ Datenblatt Seite 7 BCM847QASZ Datenblatt Seite 8 BCM847QASZ Datenblatt Seite 9 BCM847QASZ Datenblatt Seite 10 BCM847QASZ Datenblatt Seite 11

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BCM847QASZ Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Transistortyp2 NPN (Dual) Matched Pair
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Leistung - max350mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN1010B-6

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

260mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Leistung - max

1.04W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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8-MSOP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 250MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

IMZ1AT108

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

180MHz, 140MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Sanken

Serie

-

Transistortyp

6 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 4V

Leistung - max

4W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10µA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

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