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BCM56DSF

BCM56DSF

Nur als Referenz

Teilenummer BCM56DSF
PNEDA Teilenummer BCM56DSF
Beschreibung BCM56DS/SOT457/SC-74
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 6.498
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BCM56DSF Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBCM56DSF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
BCM56DSF, BCM56DSF Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 239,38 KB)
PDFBCM56DSX Datenblatt Cover
BCM56DSX Datenblatt Seite 2 BCM56DSX Datenblatt Seite 3 BCM56DSX Datenblatt Seite 4 BCM56DSX Datenblatt Seite 5 BCM56DSX Datenblatt Seite 6 BCM56DSX Datenblatt Seite 7 BCM56DSX Datenblatt Seite 8 BCM56DSX Datenblatt Seite 9 BCM56DSX Datenblatt Seite 10 BCM56DSX Datenblatt Seite 11

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BCM56DSF Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Transistortyp2 NPN (Dual) Matched Pair
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce63 @ 150mA, 2V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang155MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

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Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

115mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 2A, 2V

Leistung - max

653mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Infineon Technologies

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Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

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Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Transistortyp

4 PNP Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 6mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 2V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V, 40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

150MHz, 100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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STMicroelectronics

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Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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