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BC858W,115

BC858W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BC858W,115
PNEDA Teilenummer BC858W-115
Beschreibung TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 3.996
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BC858W Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC858W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC858W, BC858W Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 369,5 KB)
PDFBC857CW/MIX Datenblatt Cover
BC857CW/MIX Datenblatt Seite 2 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 3 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 4 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 5 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 6 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 7 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 8 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 9 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 10 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 11

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BC858W Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce125 @ 2mA, 5V
Leistung - max200mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSC-70

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 3.2A, 16A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 8A, 5V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

2SB1302T-TD-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 60mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1.3W

Frequenz - Übergang

320MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

JANTXV2N6059

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/502

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

Leistung - max

150W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3 (TO-204AA)

2SC57250SL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

280mV @ 30mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

280MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G1

ZXT13P40DE6TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

115MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

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