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BC858B-7-F

BC858B-7-F

Nur als Referenz

Teilenummer BC858B-7-F
PNEDA Teilenummer BC858B-7-F
Beschreibung TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 6.696
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BC858B-7-F Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC858B-7-F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC858B-7-F, BC858B-7-F Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 354,14 KB)
PDFBC858C-7-F Datenblatt Cover
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BC858B-7-F Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

Leistung - max

1.75W

Frequenz - Übergang

2MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

NSS12501UW3T2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 400mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2A, 2V

Leistung - max

875mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

3-WDFN (2x2)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/539

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 80mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

Leistung - max

75W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

Lieferantengerätepaket

TO-66 (TO-213AA)

BC849AW RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

2SB1238TV2P

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 100mA, 3V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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