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BC857BW,135

BC857BW,135

Nur als Referenz

Teilenummer BC857BW,135
PNEDA Teilenummer BC857BW-135
Beschreibung TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 5.022
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BC857BW Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC857BW,135
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC857BW, BC857BW Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 369,5 KB)
PDFBC857CW/MIX Datenblatt Cover
BC857CW/MIX Datenblatt Seite 2 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 3 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 4 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 5 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 6 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 7 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 8 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 9 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 10 BC857CW/MIX Datenblatt Seite 11

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BC857BW Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Leistung - max200mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSC-70

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PBHV9414ZX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 400mA, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Leistung - max

650mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SC-73

APT13003HU-G1

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

465V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 250mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

13 @ 500mA, 2V

Leistung - max

20W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126

ZXT953KTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

390mV @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 1V

Leistung - max

4.2W

Frequenz - Übergang

125MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252-3

BC817K25E6433HTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

170MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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