BC856B/DG/B3,235
Nur als Referenz
| Teilenummer | BC856B/DG/B3,235 |
| PNEDA Teilenummer | BC856B-DG-B3-235 |
| Beschreibung | TRANS GEN PURPOSE TO-236AB |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.356 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BC856B/DG/B3 Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC856B/DG/B3,235 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BC856B/DG/B3 Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 250mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
