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BC856B,235

BC856B,235

Nur als Referenz

Teilenummer BC856B,235
PNEDA Teilenummer BC856B-235
Beschreibung TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 190.932
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BC856B Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC856B,235
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC856B, BC856B Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 201,76 KB)
PDFBC857C/DG/B3 Datenblatt Cover
BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 2 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 3 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 4 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 5 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 6 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 7 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 8 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 9 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 10 BC857C/DG/B3 Datenblatt Seite 11

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BC856B Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Leistung - max250mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/455

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

200V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5A, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

Leistung - max

2.5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

Lieferantengerätepaket

TO-66 (TO-213AA)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/376

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

225 @ 10mA, 5V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 1mA, 5V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

850MHz

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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