BC848W,135
Nur als Referenz
| Teilenummer | BC848W,135 |
| PNEDA Teilenummer | BC848W-135 |
| Beschreibung | TRANS NPN 30V 0.1A SOT323 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BC848W Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC848W,135 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BC848W Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 260mV @ 200mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1.5A, 5V Leistung - max 3W Frequenz - Übergang 180MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-UDFN Lieferantengerätepaket DFN2020B-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 17A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 55 @ 1A, 5V Leistung - max 150W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 250mV Leistung - max 3.8W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 11V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 3.2GHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SMT3 |
