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BC847C,215

BC847C,215

Nur als Referenz

Teilenummer BC847C,215
PNEDA Teilenummer BC847C-215
Beschreibung TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 3.548.262
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BC847C Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC847C,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC847C, BC847C Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 237,29 KB)
PDFBC847C/SNVL Datenblatt Cover
BC847C/SNVL Datenblatt Seite 2 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 3 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 4 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 5 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 6 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 7 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 8 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 9 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 10 BC847C/SNVL Datenblatt Seite 11

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BC847C Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Leistung - max250mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 300mV

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

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Serie

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Transistortyp

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 150mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 1V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

215MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

MICROSS/On Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Serie

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Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 10µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20000 @ 10mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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