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BC847BLT1G

BC847BLT1G

Nur als Referenz

Teilenummer BC847BLT1G
PNEDA Teilenummer BC847BLT1G
Beschreibung TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Hersteller ON Semiconductor
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BC847BLT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC847BLT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC847BLT1G, BC847BLT1G Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 228,2 KB)
PDFBC848CLT1 Datenblatt Cover
BC848CLT1 Datenblatt Seite 2 BC848CLT1 Datenblatt Seite 3 BC848CLT1 Datenblatt Seite 4 BC848CLT1 Datenblatt Seite 5 BC848CLT1 Datenblatt Seite 6 BC848CLT1 Datenblatt Seite 7 BC848CLT1 Datenblatt Seite 8 BC848CLT1 Datenblatt Seite 9 BC848CLT1 Datenblatt Seite 10 BC848CLT1 Datenblatt Seite 11

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BC847BLT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MJD32T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

Leistung - max

1.56W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

JANTX2N5039

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/439

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 2A, 5V

Leistung - max

140W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3 (TO-204AA)

KTC3198-Y A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 6V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

2DD2679-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

240MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

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