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BC846S/DG/B2F

BC846S/DG/B2F

Nur als Referenz

Teilenummer BC846S/DG/B2F
PNEDA Teilenummer BC846S-DG-B2F
Beschreibung TRANS GEN PURPOSE SC-88
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 3.654
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BC846S/DG/B2F Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC846S/DG/B2F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
BC846S/DG/B2F, BC846S/DG/B2F Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 384,18 KB)
PDFBC846S/DG/B3X Datenblatt Cover
BC846S/DG/B3X Datenblatt Seite 2 BC846S/DG/B3X Datenblatt Seite 3 BC846S/DG/B3X Datenblatt Seite 4 BC846S/DG/B3X Datenblatt Seite 5 BC846S/DG/B3X Datenblatt Seite 6 BC846S/DG/B3X Datenblatt Seite 7 BC846S/DG/B3X Datenblatt Seite 8

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BC846S/DG/B2F Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce110 @ 2mA, 5V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

4 NPN (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

650mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

TO-116

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

ULN2003LVPWR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-TSSOP

ZDT1053TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

440mV @ 250mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

HBDM60V600W-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA, 600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V, 60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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