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BC846,215

BC846,215

Nur als Referenz

Teilenummer BC846,215
PNEDA Teilenummer BC846-215
Beschreibung TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
Hersteller Nexperia
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BC846 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC846,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC846, BC846 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 849,58 KB)
PDFBC846BPN/DG/B3X Datenblatt Cover
BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 2 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 3 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 4 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 5 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 6 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 7 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 8 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 9 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 10 BC846BPN/DG/B3X Datenblatt Seite 11

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BC846 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce110 @ 2mA, 5V
Leistung - max250mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Leistung - max

450mW

Frequenz - Übergang

270MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N6191

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

JAN2N5003

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/535

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

TO-210AA, TO-59-4, Stud

Lieferantengerätepaket

TO-59

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

PNP + Diode (Isolated)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

390mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

2SD1819GQL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

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