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BC639_D81Z

BC639_D81Z

Nur als Referenz

Teilenummer BC639_D81Z
PNEDA Teilenummer BC639_D81Z
Beschreibung TRANS NPN 80V 1A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.130
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BC639_D81Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC639_D81Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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BC639_D81Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 2V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

45MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

TIP32A SL

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 4V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

BSR13

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

30nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

2SC2062STPC

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 200µA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 3V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-72 Formed Leads

Lieferantengerätepaket

SPT

2N4403TF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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