BC639,112
Nur als Referenz
| Teilenummer | BC639,112 |
| PNEDA Teilenummer | BC639-112 |
| Beschreibung | TRANS NPN 80V 1A TO-92 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.754 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 1 - Jan 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BC639 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC639,112 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BC639 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 80V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Leistung - max | 830mW |
| Frequenz - Übergang | 180MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 1.6A, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 4A, 2V Leistung - max 125W Frequenz - Übergang 4MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 30mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V Leistung - max 3.5W Frequenz - Übergang 420MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 5mA, 10V Leistung - max 225mW Frequenz - Übergang 125MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 1A, 2V Leistung - max 150W Frequenz - Übergang 4MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket TO-3 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
