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BC33725

BC33725

Nur als Referenz

Teilenummer BC33725
PNEDA Teilenummer BC33725
Beschreibung TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BC33725 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC33725
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC33725, BC33725 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 301,83 KB)
PDFBC338_J35Z Datenblatt Cover
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BC33725 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Leistung - max625mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2SB1215S-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 150mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Lieferantengerätepaket

TP

MPS3638A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

35nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 300mA, 2V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MPS2907ARLRPG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BC517-D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30000 @ 20mA, 2V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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