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BC327-16-AP

BC327-16-AP

Nur als Referenz

Teilenummer BC327-16-AP
PNEDA Teilenummer BC327-16-AP
Beschreibung TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
Hersteller Micro Commercial Co
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Auf Lager 2.826
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BC327-16-AP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC327-16-AP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC327-16-AP, BC327-16-AP Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 422 KB)
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BC327-AP Datenblatt Seite 2 BC327-AP Datenblatt Seite 3

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BC327-16-AP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)200nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
Leistung - max625mW
Frequenz - Übergang260MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 4V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

2SC6082

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 375mA, 7.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 330mA, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

195MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220ML

BCX42E6433HTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

125V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

900mV @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

370mV @ 250mA, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 1.5A, 2V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

190MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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TIP47

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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