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BC307BTA

BC307BTA

Nur als Referenz

Teilenummer BC307BTA
PNEDA Teilenummer BC307BTA
Beschreibung TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.076
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BC307BTA Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC307BTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BC307BTA, BC307BTA Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 44,59 KB)
PDFBC308_J35Z Datenblatt Cover
BC308_J35Z Datenblatt Seite 2 BC308_J35Z Datenblatt Seite 3 BC308_J35Z Datenblatt Seite 4 BC308_J35Z Datenblatt Seite 5

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BC307BTA Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce180 @ 2mA, 5V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang130MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1.6A, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 4A, 2V

Leistung - max

125W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

BC373

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.1V @ 250µA, 250mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

JANTX2N6384

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/523

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

Leistung - max

6W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-204AA (TO-3)

500-00001

Parallax

Hersteller

Parallax Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92 (TO-226)

BC237CG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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