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BB640E6327HTSA1

BB640E6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BB640E6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BB640E6327HTSA1
Beschreibung DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $10,9887
100 ---------- $10,4736
250 ---------- $9,9585
500 ---------- $9,4434
750 ---------- $9,0141
1.000 ---------- $8,5849
Auf Lager 21.724
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BB640E6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBB640E6327HTSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterVaraktordioden

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BB640E6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Kapazität @ Vr, F.3.3pF @ 28V, 1MHz
Kapazitätsverhältnis25
KapazitätsverhältnisbedingungC1/C28
Spannung - Peak Reverse (Max)30V
DiodentypSingle
Q @ Vr, F.-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-76, SOD-323
LieferantengerätepaketPG-SOD323-2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Kapazität @ Vr, F.

2.75pF @ 28V, 1MHz

Kapazitätsverhältnis

15.3

Kapazitätsverhältnisbedingung

C1/C28

Spannung - Peak Reverse (Max)

30V

Diodentyp

Single

Q @ Vr, F.

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Kapazität @ Vr, F.

1.055pF @ 28V, 1MHz

Kapazitätsverhältnis

16

Kapazitätsverhältnisbedingung

C0.5/C28

Spannung - Peak Reverse (Max)

30V

Diodentyp

Single

Q @ Vr, F.

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

SOD-523

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Kapazität @ Vr, F.

7.5pF @ 4V, 1MHz

Kapazitätsverhältnis

3.2

Kapazitätsverhältnisbedingung

C2/C30

Spannung - Peak Reverse (Max)

30V

Diodentyp

Single

Q @ Vr, F.

450 @ 4V, 50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)

Lieferantengerätepaket

TO-92

BBY5705WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Kapazität @ Vr, F.

5.5pF @ 4V, 1MHz

Kapazitätsverhältnis

4.5

Kapazitätsverhältnisbedingung

C1/C4

Spannung - Peak Reverse (Max)

10V

Diodentyp

1 Pair Common Cathode

Q @ Vr, F.

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

1SV282TPH3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Kapazität @ Vr, F.

3pF @ 25V, 1MHz

Kapazitätsverhältnis

12.5

Kapazitätsverhältnisbedingung

C2/C25

Spannung - Peak Reverse (Max)

34V

Diodentyp

Single

Q @ Vr, F.

-

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

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