BAW156E6327HTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BAW156E6327HTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BAW156E6327HTSA1 |
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.034 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BAW156E6327HTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAW156E6327HTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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BAW156E6327HTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5nA @ 75V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 300A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 80V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
