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BAW101E6327HTSA1

BAW101E6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BAW101E6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BAW101E6327HTSA1
Beschreibung DIODE ARRAY GP 300V 250MA SOT143
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.618
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAW101E6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAW101E6327HTSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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BAW101E6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)300V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 100mA
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)1µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr150nA @ 250V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketPG-SOT143-4

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GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

222A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 140A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-244AB

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TO-244AB

SBR10U60CTFP

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AB

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

65V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

690mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 65V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

HFA80NC40CPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

HEXFRED®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

85A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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