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BAV99HDW-13

BAV99HDW-13

Nur als Referenz

Teilenummer BAV99HDW-13
PNEDA Teilenummer BAV99HDW-13
Beschreibung DIODE FS 100V 200MA SOT363
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.406
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAV99HDW-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAV99HDW-13
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
BAV99HDW-13, BAV99HDW-13 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 357,24 KB)
PDFBAV99HDW-13 Datenblatt Cover
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BAV99HDW-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 80V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Lieferantengerätepaket

I2PAK

FEP16DT-33HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

160A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

Lieferantengerätepaket

MAGN-A-PAK®

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodenkonfiguration

3 Independent

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 70V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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