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BAV756S,115

BAV756S,115

Nur als Referenz

Teilenummer BAV756S,115
PNEDA Teilenummer BAV756S-115
Beschreibung DIODE ARRAY GP 90V 250MA 6TSSOP
Hersteller Nexperia
Stückpreis
1 ---------- $7,1213
100 ---------- $6,7875
250 ---------- $6,4537
500 ---------- $6,1199
750 ---------- $5,8417
1.000 ---------- $5,5635
Auf Lager 172
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAV756S Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAV756S,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
BAV756S, BAV756S Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.370,48 KB)
PDFBAW56W/MIX Datenblatt Cover
BAW56W/MIX Datenblatt Seite 2 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 3 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 4 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 5 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 6 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 7 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 8 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 9 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 10 BAW56W/MIX Datenblatt Seite 11

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BAV756S Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Diodenkonfiguration2 Pair CA + CC
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)90V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 80V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 25V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

500A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 250A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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