BAV70LP-7
Nur als Referenz
| Teilenummer | BAV70LP-7 |
| PNEDA Teilenummer | BAV70LP-7 |
| Beschreibung | DIODE ARRAY GP 75V 150MA 3XDFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.512 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 17 - Apr 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BAV70LP-7 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAV70LP-7 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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BAV70LP-7 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2.5µA @ 75V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-UFDFN |
| Lieferantengerätepaket | X1-DFN1006-3 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 25V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Semtech Corporation Serie - Diodenkonfiguration - Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 5000V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 2.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 6V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 5000V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 80V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 250A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 250A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 80V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 300A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Twin Tower Lieferantengerätepaket Twin Tower |
