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BAT60AE6327HTSA1

BAT60AE6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BAT60AE6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BAT60AE6327HTSA1
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 282.468
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BAT60AE6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAT60AE6327HTSA1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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BAT60AE6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)10V
Current - Average Rectified (Io)3A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If370mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr2.6mA @ 8V
Kapazität @ Vr, F.35pF @ 5V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-76, SOD-323
LieferantengerätepaketPG-SOD323-2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1500V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

40A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

670mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

200°C (Max)

RF101LAM2STFTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

870mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-128

Lieferantengerätepaket

PMDTM

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

AR1PDHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

12.5pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-220AA

Lieferantengerätepaket

DO-220AA (SMP)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

IDV30E65D2XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

30A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.2V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

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