BAT54HMFHT116
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| Teilenummer | BAT54HMFHT116 |
| PNEDA Teilenummer | BAT54HMFHT116 |
| Beschreibung | AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.910 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 29 - Feb 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BAT54HMFHT116 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BAT54HMFHT116 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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BAT54HMFHT116 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2µA @ 25V |
| Kapazität @ Vr, F. | 12pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SSD3 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
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Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 640pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 700mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.08V @ 700mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 780ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 5pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall MicroSMP Lieferantengerätepaket MicroSMP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/297 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 31A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.15V @ 18A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 195ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket PG-TO220-2-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
