BAT42
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Teilenummer | BAT42 |
PNEDA Teilenummer | BAT42 |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35 |
Hersteller | STMicroelectronics |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 77.028 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BAT42 Ressourcen
Marke | STMicroelectronics |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | BAT42 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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BAT42 Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics |
Serie | - |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 25V |
Kapazität @ Vr, F. | 7pF @ 1V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-35 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 125°C |
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Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/477 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, B Lieferantengerätepaket D-5B Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Sanken Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 930mV @ 1.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 15A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 15A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 300µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 790pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |