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BAS85-M-18

BAS85-M-18

Nur als Referenz

Teilenummer BAS85-M-18
PNEDA Teilenummer BAS85-M-18
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 7.704
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS85-M-18 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS85-M-18
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BAS85-M-18, BAS85-M-18 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 84,2 KB)
PDFBAS85-M-08 Datenblatt Cover
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BAS85-M-18 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If800mV @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 25V
Kapazität @ Vr, F.10pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
LieferantengerätepaketSOD-80 MiniMELF
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 2A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

260pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

XBS104S13R-G

Torex Semiconductor Ltd

Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

540mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

35pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

VS-8EWF12S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

270ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

NSVMBD770DW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 1mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 20V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SF24GHR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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