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BAS70-09P6FILM

BAS70-09P6FILM

Nur als Referenz

Teilenummer BAS70-09P6FILM
PNEDA Teilenummer BAS70-09P6FILM
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT666
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.888
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS70-09P6FILM Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS70-09P6FILM
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
BAS70-09P6FILM, BAS70-09P6FILM Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 179,91 KB)
PDFBAS70-08SFILM Datenblatt Cover
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BAS70-09P6FILM Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)70V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)70mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 15mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 70V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-666

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

850µA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

53A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3.5V @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

STPSC8H065CT

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 4A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 650V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

215mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 500V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

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Paket / Fall

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