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BAS28,235

BAS28,235

Nur als Referenz

Teilenummer BAS28,235
PNEDA Teilenummer BAS28-235
Beschreibung DIODE ARRAY GP 75V 215MA SOT143B
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 181.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS28 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS28,235
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
BAS28, BAS28 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 376,54 KB)
PDFBAS28 Datenblatt Cover
BAS28 Datenblatt Seite 2 BAS28 Datenblatt Seite 3 BAS28 Datenblatt Seite 4 BAS28 Datenblatt Seite 5 BAS28 Datenblatt Seite 6 BAS28 Datenblatt Seite 7 BAS28 Datenblatt Seite 8 BAS28 Datenblatt Seite 9 BAS28 Datenblatt Seite 10 BAS28 Datenblatt Seite 11

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BAS28 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)215mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 75V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
LieferantengerätepaketSOT-143B

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 400A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

6.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

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-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

680mV @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50nA @ 1V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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