Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BAS19-G3-08

BAS19-G3-08

Nur als Referenz

Teilenummer BAS19-G3-08
PNEDA Teilenummer BAS19-G3-08
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.112
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BAS19-G3-08 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS19-G3-08
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
BAS19-G3-08, BAS19-G3-08 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 92,47 KB)
PDFBAS21-G3-08 Datenblatt Cover
BAS21-G3-08 Datenblatt Seite 2 BAS21-G3-08 Datenblatt Seite 3 BAS21-G3-08 Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • BAS19-G3-08 Datasheet
  • where to find BAS19-G3-08
  • Vishay Semiconductor Diodes Division

  • Vishay Semiconductor Diodes Division BAS19-G3-08
  • BAS19-G3-08 PDF Datasheet
  • BAS19-G3-08 Stock

  • BAS19-G3-08 Pinout
  • Datasheet BAS19-G3-08
  • BAS19-G3-08 Supplier

  • Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
  • BAS19-G3-08 Price
  • BAS19-G3-08 Distributor

BAS19-G3-08 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)100V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 100V
Kapazität @ Vr, F.5pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IDB30E60ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

52.3A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

126ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

SS1H10HE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

VS-8EWS10STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAT760Q-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 15V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

STB12100TR

SMC Diode Solutions

Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

660pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Kürzlich verkauft

LT6350HMS8#PBF

LT6350HMS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC DIFF CONVERT/ADC DRIVER 8MSOP

3-1462039-1

3-1462039-1

TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 12VDC

RCLAMP0854P.TCT

RCLAMP0854P.TCT

Semtech

TVS DIODE 5.5V 30V SLP1616P6

IS42S16160J-6BLI

IS42S16160J-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

PB5006-E3/45

PB5006-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1P 600V 45A PB

MC33074DR2G

MC33074DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

20CTQ045

20CTQ045

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

AZ23C5V6-7-F

AZ23C5V6-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23-3

74437349015

74437349015

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 8A 9 MOHM SMD

MAX9100EUK+T

MAX9100EUK+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R SOT23-5

MT41J512M8RH-093:E

MT41J512M8RH-093:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

C8051F120-GQR

C8051F120-GQR

Silicon Labs

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 100TQFP