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BAS170WS-E3-08

BAS170WS-E3-08

Nur als Referenz

Teilenummer BAS170WS-E3-08
PNEDA Teilenummer BAS170WS-E3-08
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 276.006
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BAS170WS-E3-08 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBAS170WS-E3-08
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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BAS170WS-E3-08 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)70V
Current - Average Rectified (Io)70mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 15mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 70V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-76, SOD-323
LieferantengerätepaketSOD-323
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 125°C

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-2L

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

D475N36BXPSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

3600V

Current - Average Rectified (Io)

475A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40mA @ 3600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 160°C

B130LAW-7

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123

Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

SD41

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

680mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

C3D06060G-TR

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

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Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

19A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

295pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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